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深沖1100鋁板中的再結晶織構和選擇生長的研究
- 2020-12-07-

  據悉,電子衍射1100鋁板分析表明,大晶粒的(001)晶面平行于膜面(即軋制平面),具有立方織構的取向特征;而小晶粒主要是(123)及(011)晶面與膜面平行,表現出原軋制組織的取向特征,可以認為變形基體中生成的具有原軋制織構取向的新晶粒將會被立方取向的新晶粒"吞并",說明這些新晶粒不是等同的長大,經過一定時間后,有的晶粒已較快長大,而另一些小晶粒還沒有長大, 并將被較快長大的晶粒吞并, 即選擇性的生長。

  織構測定結果表明,立方織構與R織構是主要的再結晶織構,而有研究冷軋1100鋁板樣品中主要的軋制織構是S織構,根據極圖的投影幾何,在具有軋板正交對稱性的極圖上,S 取向在(111)極圖上可有4組等價位置,冷軋樣品中的晶粒取向在S取向的4組等價位置上都有較強的分布;高對稱性的立方取向兩坐標系重合,在11極圖上只有一組等價位置;退火板中 R取向也有4組等價位置,晶粒取向在立方取向和R取向上分布較強,面心立方金屬中、立方織構和R織構與主要的冷軋S織構都有近似的40°<1>轉動關系,即兩晶體取向差表現為繞<111>晶軸轉大約40°,格外是立方取向與每個等價位置上的S取向都有 40°<11>關系。

  冷軋態1100鋁板樣品中有較強的S織構分量,該樣品進行再結晶退火時能生成立方取向晶核,再結晶后會生成強的立方織構和R織構,晶粒取向測定結果證實了S取向向立方取向和R 取向的轉化,并在S取向與立方取向和R 取向之間留下了過渡帶結構。

  在 S 取向基體內立方取向成為主要晶粒取向的轉化過程中,再結晶晶核形成之后雖然都在長大,但其余各取向的晶粒遠不若立方取向晶粒長得快,乃至被立方取向晶粒吞并,電子顯微觀察分析結果證實了S取向基體中立方取向晶核長大速度快得多,成為較大的晶粒,所以在隨后的再結晶過程中立方織構得到發展,成為退火板中主要織構組分,說明具有 40°<11>關系的晶粒生長較快,證實了1100鋁板晶粒選擇生長的存在,但其影響因素復雜。

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